Microchip 2N6661 N-Kanal, THT MOSFET 90 V / 350 mA 6,25 W, 3-Pin TO-39
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Betriebstemperatur min.
- –55 °CV
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 350 mA
- Drain-Source-Spannung max.
- 90 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 5 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 2V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 0.8V
- Gate-Source Spannung max.
- 20 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 350 mA
Drain-Source-Spannung max. = 90 V
Serie = 2N6661
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 6,25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045475279
