Littelfuse LSIC1MO170T0750 N-Kanal, SMD MOSFET 1700 V / 4,5 A, 7-Pin TO-263-7

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 1700 V
Serie = LSIC1MO170T0750
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,75 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.8V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Die neuen 1700V-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) von Littelfuse mit 750 mOhm werden im TO-263-7L-Gehäuse präsentiert. Der getrennte Quellstift verringert den parasitären Quellinduktivitätsweg zum Treiber erheblich, was zur Verbesserung der Effizienz in Hochleistungsanwendungen beiträgt. Die maximale Betriebstemperatur der Anschlussstelle beträgt 175 °C. Diese MOSFETs sind ideal für Hochfrequenzanwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad gewünscht ist.Optimiert für hochfrequente, hocheffiziente Anwendungen Extrem niedrige Gate-Ladung und -Ausgang Kapazität Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung Normalerweise abgeschalteter Betrieb bei allen Temperaturen Extrem niedriger Einschaltwiderstand Optimiertes Gehäuse mit separatem Treiberquellen-Pin MSL 1-Nennwert