IXYS Trench N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 110 A 694 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- –55 °CV
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 110 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 250 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 24 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-247
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 694 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 16.26mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
N-Kanal Trench-Gate Leistungs-MOSFET, IXYS. Trench-Gate MOSFET-Technologie Niedriger Durchlasswiderstand RDS(ein) Überlegene Stoßentladungsbeständigkeit
Produktangebot
8,13 €
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041070652