IXYS Trench N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 110 A 694 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Betriebstemperatur min.
- –55 °CV
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 110 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 250 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 24 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
Produktbeschreibung
N-Kanal Trench-Gate Leistungs-MOSFET, IXYS. Trench-Gate MOSFET-Technologie Niedriger Durchlasswiderstand RDS(ein) Überlegene Stoßentladungsbeständigkeit
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041070652