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IXYS PolarHVTM HiPerFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 70 A 625 W, 3-Pin ISOPLUS264

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFL100N50P

Produkt-Nr.: P-CC6XZB

Technische Daten

Breite
5.21mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
70 A
Drain-Source-Spannung max.
500 V
Drain-Source-Widerstand max.
52 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Schwellenspannung min.
3V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Höhe
26.42mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = ISOPLUS264
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 625 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.21mm
Höhe = 26.42mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie HiperFET PolarHV. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs vom Anreicherungstyp der Serie IXYS PolarHV™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059041397858