IXYS Polar HiPerFET N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 70 A 300 W, 3-Pin ISOPLUS247
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Betriebstemperatur min.
- –55 °CV
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 70 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 300 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 26 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Serie = Polar HiPerFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 26 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 300 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
Produktangebot
19,55 €
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041611596