IXYS Linear L2 N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 178 A 830 W, 4-Pin SOT-227
Technische Daten
- Breite
- 25.07mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 178 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 11 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- SOT-227
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 178 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 11 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 830 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 25.07mm
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs speziell für den linearen Betrieb. Diese Geräte verfügen über einen erweiterten Betriebsbereich in Durchlassrichtung (FBSOA) für erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit.
Produktangebot
45,32 €
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Nicht vorrätigZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041070676