IXYS IGBT-Modul / 650 A ±30V max., 1200 V 2,1 kW, 11-Pin SimBus F N-Kanal

Technische Daten

Abmessungen

152 x 62 x 17mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

650 A

Gate-Source Spannung max.

±30V

Gehäusegröße

SimBus F

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Montage-Typ

PCB-Montage

Pinanzahl

11

Transistor-Konfiguration

Serie