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IXYS IGBT / 570 A ±20V max. , 650 V 880 W, 3-Pin TO-264 N-Kanal

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXXK110N65B4H1

Produkt-Nr.: P-CC2LSD

Technische Daten

Abmessungen
20.3 x 5.3 x 26.6mm
Betriebstemperatur min.
–55 °CmJ
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
570 A
Gate-Source Spannung max.
±20V
Gehäusegröße
TO-264
Kollektor-Emitter-Spannung
650 V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Schaltgeschwindigkeit
10 → 30kHz

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 570 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 880 W
Gehäusegröße = TO-264
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 10 → 30kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 20.3 x 5.3 x 26.6mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CmJ

IGBTs, diskret, IXYS

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT
GTIN
5059041077675