IXYS IGBT / 570 A ±20V max. , 650 V 880 W, 3-Pin TO-264 N-Kanal

Technische Daten

Abmessungen

20.3 x 5.3 x 26.6mm

Anzahl an Transistoren

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

570 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

TO-264

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Montage-Typ

THT