IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 1 kV / 24 A 568 W, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1kV

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

390mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

267nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

SOT-227

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

24A