IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 110 A 1.17 kW, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

850V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

33mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.4V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

425nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

SOT-227

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

110A