IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 780 W, 3-Pin TO-268

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

52mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.4V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

108nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

TO-268

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

60A