IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 170 A 1.17 kW, 4-Pin SOT-227

Name: IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 170 A 1.17 kW, 4-Pin SOT-227
Brand: IXYS
Price: 53.05 EUR
Availability: InStock

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN170N65X2

Produkt-Nr.: P-CC2H7F

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 13mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.4V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 434nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 30 V
Gehäusegröße: SOT-227
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 170A

Produktbeschreibung

Niedriger RDS(ON) und Qg Fast-Body-Diode dv/dt Robustheit Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Gehäuseinduktivität Gehäuse nach internationaler Norm Resonanznetzteile Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge) AC- und DC-Motorantriebe DC/DC-Konverter Robotik und Servosteuerung Akkuladegeräte 3-stufige Solarwechselrichter LED-Beleuchtung Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs) Höhere Eﬃzienz Hohe Leistungsdichte Einfache Montage Platzersparnis