IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-263

Name: IXYS HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-263
Brand: IXYS
Price: 9.3 EUR
Availability: InStock

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFA80N25X3

Produkt-Nr.: P-CC2H7C

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 250V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 16mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.4V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 83nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 20 V
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 80A

Produktbeschreibung

Niedrigster Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg Diode mit Gehäuse mit kurzer, weicher Erholzeit dv/dt Robustheit Überlegene Durchbruchfähigkeit Gehäuse nach internationaler Norm Akkuladegeräte für leichte Elektrofahrzeuge Synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen Motorsteuerung DC/DC-Konverter Unterbrechungsfreie Stromversorgungen Elektrisch betriebene Gabelstapler Audioverstärker der Klasse D Telekommunikationssysteme Hohe Eﬃzienz Hohe Leistungsdichte Erhöhte Systemzuverlässigkeit Einfache Integration200 MHz/330 DMI/s, MIPS32 microAptiv-Kern Dual Panel Flash für Live-Update-Unterstützung 12 bit, 18 Mbit/s, 45-Kanal-ADC-Modul Speicherverwaltungseinheit für optimale Ausführung des eingebetteten OS microMIPS-Modus für bis zu 35 % Code-Kompression CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI- & analoge Komparatoren SPI/I2S-Schnittstellen für Audioverarbeitung und -wiedergabe Hi-Speed USB-Gerät/Host/OTG 10/100 Mbit/s Ethernet MAC mit MII- und RMII-Schnittstelle Erweiterter Speicherschutz 2 MB Flash-Speicher (plus zusätzliche 160 KB Boot-Flash ) 640 KB SRAM-Speicher