IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 64 A 1 kW, 3-Pin TO-264

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 64 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-264
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 85 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 6.5V
Verlustleistung max. = 1 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 26.16mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3. Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Schnelle interne Gleichrichterdiode Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Industriestandard-Gehäuse Niedrige Gehäuseinduktivität Hohe Leistungsdichte