IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin TO-264

Name: IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin TO-264
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFK24N100Q3

Produkt-Nr.: P-CC672N

Technische Daten

Breite: 5.13mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 24 A
Drain-Source-Spannung max.: 1000 V
Drain-Source-Widerstand max.: 440 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Höhe: 26.16mm
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 440 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 6.5V
Breite = 5.13mm
Höhe = 26.16mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3. Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Schnelle interne Gleichrichterdiode Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Industriestandard-Gehäuse Niedrige Gehäuseinduktivität Hohe Leistungsdichte