IXYS HiperFET, Q-Class N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 27 A 500 W, 3-Pin TO-264AA

Name: IXYS HiperFET, Q-Class N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 27 A 500 W, 3-Pin TO-264AA
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFK27N80Q

Produkt-Nr.: P-CCZKNC

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +150 °Cmm
Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 27 A
Drain-Source-Spannung max.: 800 V
Drain-Source-Widerstand max.: 320 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: TO-264AA

Produktbeschreibung

Serie = HiperFET, Q-Class
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 500 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 170 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)