IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247

Name: IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFX80N60P3

Produkt-Nr.: P-CDBMG7

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +150 °Cmm
Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 80 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = HiperFET, Polar3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 70 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,3 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)