IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 64 A 1,13 kW, 3-Pin TO-264

Name: IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 64 A 1,13 kW, 3-Pin TO-264
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFK64N60P3

Produkt-Nr.: P-CDDJBZ

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 64 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 95 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Höhe: 26.16mm
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 64 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = HiperFET, Polar3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 95 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,13 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 26.16mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)