IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 78 A 1,13 kW, 3-Pin TO-264
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Breite
- 5.13mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 78 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 68 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-264
Produktbeschreibung
Dauer-Drainstrom max. = 78 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 68 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Breite = 5.13mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041148245
