IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 78 A 1,13 kW, 3-Pin PLUS247

Name: IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 78 A 1,13 kW, 3-Pin PLUS247
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFX78N50P3

Produkt-Nr.: P-CDBJ3F

Technische Daten

Breite: 5.21mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 78 A
Drain-Source-Spannung max.: 500 V
Drain-Source-Widerstand max.: 68 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Höhe: 21.34mm
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 78 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Serie = HiperFET, Polar3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 68 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,13 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.21mm
Höhe = 21.34mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)