IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 500 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 26 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 240 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Serie = HiperFET, Polar3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 500 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
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6,47 €
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041489959