IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 132 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264

Name: IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 132 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFB132N50P3

Produkt-Nr.: P-CC24K3

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1mm
Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 132 A
Drain-Source-Spannung max.: 500 V
Drain-Source-Widerstand max.: 39 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 132 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Serie = HiperFET, Polar3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,89 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)