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IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 94 A 1,04 kW, 3-Pin TO-3PN

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFQ94N30P3

Produkt-Nr.: P-CDDJB8

Technische Daten

Breite
4.9mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
94 A
Drain-Source-Spannung max.
300 V
Drain-Source-Widerstand max.
36 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Höhe
20.3mm
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 94 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Serie = HiperFET, Polar3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,04 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.9mm
Höhe = 20.3mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059041490009