IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 150 A 1,3 kW, 3-Pin TO-264
Technische Daten
- Breite
- 5.13mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 150 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 300 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 19 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-264
- Höhe
- 26.16mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 150 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Serie = HiperFET, Polar3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 19 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,3 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 5.13mm
Höhe = 26.16mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041490061
