IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, Schraub MOSFET 600 V / 66 A 960 W, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

66 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

70 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

190 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gehäusegröße

SOT-227

Höhe

9.6mm