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IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 192 A 1,5 kW, 4-Pin SOT-227

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN210N30P3

Produkt-Nr.: P-CC25J7

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
192 A
Drain-Source-Spannung max.
300 V
Drain-Source-Widerstand max.
14,5 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Montage-Typ
Schraubmontage

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 192 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Serie = HiperFET, Polar3
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 14,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,5 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

Produktangebot

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Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059041488716