IXYS HiperFET, Polar Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 800 V / 53 A 1.04 kW, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

140mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

250nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

SOT-227

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

53A