IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247AD

Name: IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 24 A 650 W, 3-Pin TO-247AD
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFH24N80P

Produkt-Nr.: P-CCZPZS

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 24 A
Drain-Source-Spannung max.: 800 V
Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 105 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Serie = HiperFET, Polar
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 650 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 105 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS