IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 300 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Drain-Source-Widerstand max.

1,1 Ω

Gate-Ladung typ. @ Vgs

40 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gehäusegröße

TO-220