IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247

Name: IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 36 A 650 W, 3-Pin TO-247
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFH36N60P

Produkt-Nr.: P-CCZP4C

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 36 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 102 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 36 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 102 nC @ 10 Vmm
Höhe = 21.46mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS