IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 44 A 650 W, 3-Pin TO-247AD

Name: IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 44 A 650 W, 3-Pin TO-247AD
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFH44N50P

Produkt-Nr.: P-CCZP2T

Technische Daten

Breite: 5.3mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 44 A
Drain-Source-Spannung max.: 500 V
Drain-Source-Widerstand max.: 140 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Gehäusegröße: TO-247AD
Höhe: 21.46mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-247AD
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 650 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.3mm
Höhe = 21.46mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS