IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 36 A 540 W, 3-Pin TO-247AD

Name: IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 36 A 540 W, 3-Pin TO-247AD
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFH36N50P

Produkt-Nr.: P-CCZP2R

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 36 A
Drain-Source-Spannung max.: 500 V
Drain-Source-Widerstand max.: 170 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 93 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Serie = HiperFET, Polar
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 540 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 93 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS