IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247

Name: IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 26 A 400 W, 3-Pin TO-247
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFH26N50P

Produkt-Nr.: P-CCZP4L

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1mm
Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 26 A
Drain-Source-Spannung max.: 500 V
Drain-Source-Widerstand max.: 230 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Gehäusegröße: TO-247

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Serie = HiperFET, Polar
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 230 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 400 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Länge = 16.26mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS