IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 69 A 230 Vac, 3-Pin TO-247

Name: IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 69 A 230 Vac, 3-Pin TO-247
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFH69N30P

Produkt-Nr.: P-CCZ2LJ

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 69 A
Drain-Source-Spannung max.: 300 V
Drain-Source-Widerstand max.: 49 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 156 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: TO-247
Höhe: 21.46mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 69 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Serie = HiperFET, Polar
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 49 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 230 Vac
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 156 nC @ 10 Vmm
Höhe = 21.46mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS