IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 36 A 300 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

36 A

Drain-Source-Spannung max.

300 V

Drain-Source-Widerstand max.

110 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

70 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Montage-Typ

THT