IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 50 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 60 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 70 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041206969
