IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 62 A 350 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

62 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Drain-Source-Widerstand max.

40 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

70 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Höhe

9.15mm

Montage-Typ

THT