IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 120 A 600 W, 3-Pin TO-247AD

Name: IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 120 A 600 W, 3-Pin TO-247AD
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFH120N15P

Produkt-Nr.: P-CC33JB

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 120 A
Drain-Source-Spannung max.: 150 V
Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Länge: 16.26mm
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Serie = HiperFET, Polar
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 600 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 16.26mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS