IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A 960 W, 3-Pin TO-264
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 26 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 460 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 225 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 6.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Höhe
- 26.16mm
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = HiperFET, Polar
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 460 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 6.5V
Verlustleistung max. = 960 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 225 nC @ 10 Vmm
Höhe = 26.16mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
Produktangebot
34,57 €
41,14 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu
Weitere Angebote
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041997911
