IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 480 W, 3-Pin TO-247

Name: IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 480 W, 3-Pin TO-247
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFH110N10P

Produkt-Nr.: P-CCZNN3

Technische Daten

Breite: 5.3mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 110 A
Drain-Source-Spannung max.: 100 V
Drain-Source-Widerstand max.: 15 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: TO-247
Höhe: 21.46mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 15 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 480 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 21.46mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS