IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 800 V / 53 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

53 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Drain-Source-Widerstand max.

140 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

250 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gehäusegröße

SOT-227