IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 600 V / 40 A 625 W, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

140 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

150 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gehäusegröße

SOT-227

Höhe

9.6mm