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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 66 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN80N50P

Produkt-Nr.: P-CCZP25

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
66 A
Drain-Source-Spannung max.
500 V
Drain-Source-Widerstand max.
65 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
195 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
SOT-227

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 66 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 700 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 195 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

Produktangebot

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Nicht vorrätigZustand: Neu

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059041204767