IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 66 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

66 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Drain-Source-Widerstand max.

65 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

195 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Höhe

9.6mm

Montage-Typ

Schraubmontage