IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 61 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

61 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Drain-Source-Widerstand max.

85 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

150 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Montage-Typ

Schraubmontage