IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

86 A

Drain-Source-Spannung max.

300 V

Drain-Source-Widerstand max.

33 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

224 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Montage-Typ

Schraubmontage