IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 115 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Name: IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 115 A 700 W, 4-Pin SOT-227
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN140N30P

Produkt-Nr.: P-CCZPKW

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 115 A
Drain-Source-Spannung max.: 300 V
Drain-Source-Widerstand max.: 24 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 185 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Montage-Typ: Schraubmontage

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 115 A
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Serie = HiperFET, Polar
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 700 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 185 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS