IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227

Name: IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN140N20P

Produkt-Nr.: P-CC78P6

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 115 A
Drain-Source-Spannung max.: 200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 18 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: SOT-227
Höhe: 9.6mm
Montage-Typ: Schraubmontage

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 115 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 680 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 9.6mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS