IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 kW, 3-Pin PLUS264

Name: IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 kW, 3-Pin PLUS264
Brand: IXYS
Price: 32.38 EUR
Availability: InStock

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFB90N85X

Produkt-Nr.: P-CC83SW

Technische Daten

Breite: 5.31mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 90 A
Drain-Source-Spannung max.: 850 V
Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3.5V
Gate-Source Spannung max.: ±30 V
Höhe: 26.59mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 90 A
Drain-Source-Spannung max. = 850 V
Serie = HiperFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 1,79 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 5.31mm
Höhe = 26.59mm

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Kennzeichnungen

Artikeltyp: MOSFET
GTIN: 5059041642507