IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 90 A 1,79 kW, 3-Pin PLUS264

Technische Daten

Breite

5.31mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

90 A

Drain-Source-Spannung max.

850 V

Drain-Source-Widerstand max.

41 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Höhe

26.59mm