IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 66 A 1,25 kW, 3-Pin TO-264

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 66 A
Drain-Source-Spannung max. = 850 V
Serie = HiperFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 1,25 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV

Die Leistungs-MOSFETs 850V Ultra-Junction X-Class mit Fast-Body-Dioden ist eine neue Leistungshalbleiter-Produktlinie von IXYS Corporation. Diese robusten Geräte bieten den niedrigsten Betriebswiderstand der Branche für eine sehr hohe Leistungsdichte in Anwendungen mit Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Die neuen 850V-Geräte wurden unter Verwendung des Ladungskompensationsprinzips und proprietärer Prozesstechnologie entwickelt und weisen die niedrigsten Betriebswiderstände (z. B. 33 Milliohm im SOT-227-Gehäuse und 41 Milliohm beim PLUS264) sowie geringe Gate Aufladungen und überlegene dv/dt-Leistung auf.Extrem niedriger Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg Fast-Body-Diode dv/dt Robustheit Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Gehäuseinduktivität Gehäuse nach internationaler Norm