IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 48 A 500 W, 3-Pin TO-264AA

Name: IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 48 A 500 W, 3-Pin TO-264AA
Brand: IXYS

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFK48N50

Produkt-Nr.: P-CCZKM8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: –55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 48 A
Drain-Source-Spannung max.: 500 V
Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 270 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 48 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Serie = HiperFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 500 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 270 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = –55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS-Serie HiperFET™